了解化学品的最常见方法是将其“漫泡“在各种特殊的溶液中
将单链DNA作为工具放置，也可以理解为简单地在要放置碳纳米管的地方放置一条编号
为1的“弦”，并在碳纳米管上附加一条编号为2的相应“弦“
这两根绳子是互补的，可以相互连接，这样，编号为2的绳子就会把碳纳米管和编号为1
的绳子固定在一起，它们就会根据需要落到适当的位置
通过调整这些“绳子“，碳纳米管可以以不同的方式定位，就像用一根绳子把人绑到不同
的位置一样，PM..……o
或者，就像捆绑木柴一样，只要有足够的绳子，木柴可以以任何方式捆绑。
大规模生产碳基心片“八一七”的前提条件是实现超高的半导体纯度、平行度、高密度札
大面积碳纳米管阵列薄膜的均匀性。
只有满足上述所有要求，才有可能大规模生产碳基芯片。
而如果有人想在系统内复制绿洲1号，他也需要在这个实现的基础上继续开发足够长的时
间才有可能。
苏炎翻开了欧阳倩寄来的资料，里面不仅有最基本的训练资料，还有国内外最新的科学资
料，以及相关的实验数据
在这些实验数据中，以国内的实验数据最为详细，可以说，所有从实验中得到的可靠数据
都毫无保留地发给了他。
这对苏炎来说是非常方便的
大为议次的情况比较特殊，国内已经有大学在进行碳基不片领域的研究，中且已经取得「
显著的成果，充分证明了其威力。
因此，苏炎不打算在基地内再建立一个芯片的实验室，毕竟圆明园职业学院已经有一个实
验室了，再增加一个也是浪费时间
而且，等待实验室和团队的建立也占用了他的时间」，同时也分散了核心研究力量，造成了
研究资源的浪费
与其这样，还不如直接与圆明园职业学院共享实验室
所有相关的实验都可以由他来远程管理
而且，在有些事情上，圆明园职业学院的团队比他更专业，能给他更多的帮助
有了唾手可得的信息和数据，苏炎很快了解了国内外碳基芯片发展的现状。
白前，碳基芯片世界的主要参与者是国内和海外，而其他国家和地区还在积播入场券。
而在这两个参与者中，国内和国外，双方走的是不同的道路
对万更关注碳基术片与现有年基尔片制造上艺的兼容性，他们上在使用目前标准KLDA
芯片设计软件，使用与硅基村片兼容的材料和工艺来制备碳基芯片
一个由14,000个碳基晶体管组成的集成电路已经生产出来并成功运行，尽管其性能
与30年前住基芯片的技术相当。
这项技术的伟大之处在于，它是在商业硅基生产线上完成的，这使得业应用速度更快
过去强大的硅基芯片制造能力给了他们一个好得不能再好的基础
即便如此，在这种碳基芯片能够以业规模生产并投放市场之前，还有很长的路要走
与国外团队不同，圆明园职业学院的国内团队走了一条与众不同的创新之路
他们从碳管生产、组装工艺和部件结构入手，创语性地归发了一意高性能碳管S器
件的无参杂生产方法
最近，他们取得了美破性进思：自次制造出基于碳纳米官、栅极为5纳米KCMS器件
，其运行速度是牙骨）最新商用硅晶体管的两倍，而功耗仅为其1/4，这表明基子于碳纳米管
的CMOS器件比基于栅极小于10纳米的硅CMOS器件具有明显优势。
此外，圆明园职业学院团队在高性能碳基晶体管和高质量碳纳米管材料方面比国外团队有
明显优势
此外，国内的碳基芯片在制造工艺上与国外的工艺路线也有很大区别
三前龙国的恢基心片制造上艺述很租放和原始，还有很大的改进空同，大致上看有以下
点。
第一步是将碳纳米官提纯到99.9999%，俗称六九纯度，考后生产半导体碳纳米官
星作区种空基以上的爆弘米管能用十集成田路
第二步是利用单链DNA来控制碳纳米管构造成集成电路所需的各种结构，自动形成相应
的节点。
在这个阶段，所有这些自动组装的节点都还在溶液中
第一步是创建实际的电路，为此，必须以通常的万式将DNA组件在基底上排好
这包括在基底上涂上一层薄膜，然后使用光刻机等设备在基底上蚀刻与节点相对应的纳米
级图案，然后将含有节点的溶液滴到基底上
通过这种方式，溶液中的节点分布在基底上，但县有那当与纳米级图案京全对应的节点最
终出在医底白，其也没有排列务的节点则留在基底外部的博房上
当薄膜最终被移除时，节点可以根据需要有规律地排列
是的，白前的碳基芯片仍然需要相同的技术，如光刻和电子束蚀刻，来生产纳来级的电子
零件。
这井不像有些人认为的那样容易，改变材料就能抛开所有的限制
这是因为这样的微观水平的加工能力对芯片来说是必要的
即使不使用光刻技术，也会看黑暗和出明的法离技.………
苏炎对此也有心理准备，但他还是希望能找到一种不需要光刻技术的工艺
毕党，加工纳来图形的能力不是只有光刻利机才有的。
如果他等到国内光刻技术的发展，那就完全是在浪费他所拥有的碳基芯片技术
查看完数据后，他继续向下滚动页面，很快他就看到了另一篇论文
基于DNA的高性能碳纳来管场效应晶体管的纳米制备。
同样的工作是田圆明园职业学院的一位教授发表的
这篇论文以DNA模板法制备的碳纳米管平行阵列为模型系统，开发了一种固定方法，然
后进行清洗，将基于碳纳米管阵列的效应晶体管的基本数据传输性能提高10倍以上。。